扇入型和扇出型晶圓級(jí)封裝有什么區(qū)別

晶圓級(jí)封裝簡(jiǎn)稱WLP，是一種在晶圓級(jí)別進(jìn)行封裝的技術(shù)。與傳統(tǒng)的芯片封裝方式相比，WLP技術(shù)具有更高的集成度、更小的封裝尺寸和更低的成本。它通過(guò)將多個(gè)芯片或器件集成在一個(gè)封裝體內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)更高的性能和更小的體積。

晶圓級(jí)封裝技術(shù)有兩種不同的封裝方式，一種是扇入型封裝，一種是扇出型封裝。下面合明科技小編來(lái)深入探討一下扇入型和扇出型晶圓級(jí)封裝有什么區(qū)別,希望能對(duì)您有所幫助!

扇入型晶圓級(jí)封裝（FIWLP）

扇入型WLCSP的封裝布線、絕緣層和錫球直接位于晶圓頂部。

扇入型晶圓級(jí)封裝優(yōu)點(diǎn)：

1、尺寸小：封裝尺寸與芯片尺寸相同，都可以將尺寸縮至最小。

2、電氣特性優(yōu)：錫球直接固定在芯片上，無(wú)需基板等媒介，電氣傳輸路徑相對(duì)較短，因而電氣特性得到改善。

3、成本低：無(wú)需基板和導(dǎo)線等封裝材料，工藝成本較低。這種封裝工藝在晶圓上一次性完成，因而在裸片（Net Die，晶圓上的芯片）數(shù)量多且生產(chǎn)效率高的情況下，可進(jìn)一步節(jié)約成本。

扇入型晶圓級(jí)封裝缺點(diǎn)：

因其采用硅（Si）芯片作為封裝外殼，物理和化學(xué)防護(hù)性能較弱。正是由于這個(gè)原因，這些封裝的熱膨脹系數(shù)與其待固定的PCB基板的熱膨脹系數(shù)存在很大差異。受此影響，連接封裝與PCB基板的錫球會(huì)承受更大的應(yīng)力，進(jìn)而削弱焊點(diǎn)可靠性。

扇入型晶圓級(jí)封裝工藝流程：

1、從晶圓代工廠（Foundry）生產(chǎn)完成的晶圓（Wafer）經(jīng)過(guò)測(cè)試后進(jìn)入生產(chǎn)線。

2、為了將晶圓上的接口（I/O）引出至方便焊接的位置，在晶圓上通過(guò)金屬布線工藝制作再布線層（RDL）。

3、為使芯片成品更輕薄，對(duì)晶圓進(jìn)行減薄加工。

4、之后在再布線層（RDL）所連接的金屬焊盤(pán)上進(jìn)行植球，方便后續(xù)芯片在印刷電路板（PCB）上的焊接，最后將晶圓進(jìn)行切割，以得到獨(dú)立的芯片。

5、芯片產(chǎn)品通過(guò)最終測(cè)試后，即可出廠成為芯片成品。     

扇出型晶圓級(jí)封裝（FOWLP）

扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)采取在芯片尺寸以外的區(qū)域做I/O接點(diǎn)的布線設(shè)計(jì)，提高I/O接點(diǎn)數(shù)量。采用RDL工藝讓芯片可以使用的布線區(qū)域增加，充分利用到芯片的有效面積，達(dá)到降低成本的目的。扇出型封裝技術(shù)完成芯片錫球連接后，不需要使用封裝載板便可直接焊接在印刷線路板上，這樣可以縮短信號(hào)傳輸距離，提高電學(xué)性能。

扇出型晶圓級(jí)封裝優(yōu)點(diǎn)：

1、I/O數(shù)量和密度大幅提升

FOWLP的扇出區(qū)域大大增加了焊球陣列的可布置空間,使I/O數(shù)量和密度不再受到芯片尺寸的限制。有報(bào)道稱,采用FOWLP封裝后,I/O數(shù)量可達(dá)到傳統(tǒng)線束封裝的2倍以上。

2、尺寸更加緊湊

標(biāo)準(zhǔn)WLP盡管體積已很小,但仍存在相當(dāng)?shù)目瞻讌^(qū)域。而通過(guò)"扇出"設(shè)計(jì),FOWLP的封裝尺寸可以縮小至芯片尺寸的1.2-1.5倍左右,未來(lái)還有進(jìn)一步縮小的潛力。

3、電氣特性優(yōu)異

擺脫了基板和引線框架的影響,FOWLP的信號(hào)傳輸路徑更短,寄生效應(yīng)更小。同時(shí),利用銅柱和微重布線層,器件的電流傳輸能力和高頻特性都得到大幅提升。

4、熱耗散能力強(qiáng)

FOWLP封裝的背面能夠100%暴露芯片背面,并且采用高導(dǎo)熱環(huán)氧材料,熱耗散性能出色,可大幅降低芯片的工作溫度。

5、可靠性有保證

FOWLP使用的是成熟的半導(dǎo)體工藝,各項(xiàng)可靠性指標(biāo)如溫濕性能、熱循環(huán)性能均遠(yuǎn)勝于基板類封裝,是一種高質(zhì)量高可靠的封裝形式。

6、工藝成熟度高

FOWLP的制程有很大一部分借鑒了半導(dǎo)體制造工藝,因此在工藝成熟度和自動(dòng)化程度方面都占有優(yōu)勢(shì),也有利于降低制造成本。

7、測(cè)試質(zhì)量可控  

FOWLP可采用"已知良芯"(KGD)流程,即先進(jìn)行芯片級(jí)測(cè)試,確保所用芯片都是合格品,從而提升產(chǎn)品的良率和一致性。

扇出型晶圓級(jí)封裝工藝流程

1、從晶圓代工廠（Foundry）生產(chǎn)完成的晶圓（Wafer）經(jīng)過(guò)測(cè)試后進(jìn)入生產(chǎn)線類似傳統(tǒng)封裝，扇出型封裝第一步也需要將來(lái)料晶圓切割成為裸晶。

2、扇出型封裝的主要特點(diǎn)是將切割后的裸晶組合成為重構(gòu)晶圓，與來(lái)料晶圓相比，重構(gòu)晶圓上裸晶之間的距離相對(duì)更大，因此方便構(gòu)造單位面積更大，輸入輸出（I/O）更多的芯片成品。

3、塑封、去除載片：完成重構(gòu)晶圓的貼片后，對(duì)重構(gòu)晶圓進(jìn)行塑封以固定和保護(hù)裸晶。然后將重構(gòu)晶圓載片移除，從而將裸晶對(duì)外的輸入輸出接口（I/O）露出。

4、制作再布線層：為了將裸晶上的接口（I/O）引出至方便焊接的位置，在晶圓上通過(guò)金屬布線工藝制作再布線層（RDL）。

5、晶圓減?。簽槭剐酒善犯p薄，對(duì)晶圓進(jìn)行減薄加工。

6、植球：在再布線層（RDL）所連接的金屬焊盤(pán)上進(jìn)行植球，方便后續(xù)芯片在印刷電路板（PCB）上的焊接。

7、晶圓切割、芯片成品：最后將重構(gòu)晶圓進(jìn)行切割，以得到獨(dú)立的芯片。

晶圓級(jí)封裝清洗劑W3800介紹

晶圓級(jí)封裝清洗劑W3800是針對(duì)PCBA（印刷線路板組裝）焊后清洗開(kāi)發(fā)的一款濃縮型環(huán)保水基清洗劑。主要用于清除電子組裝件PCBA、功率LED器件及引線框架型分立器件上的錫膏或者助焊劑殘留物。特別適用于助焊劑殘留較多且頑固的PCBA清洗，本品在材料兼容性方面表現(xiàn)優(yōu)越，適應(yīng)于超聲、噴淋等多種清洗工藝。

晶圓級(jí)封裝清洗劑W3800的產(chǎn)品特點(diǎn)：

1、用去離子水按一定比例稀釋后不易起泡，可以應(yīng)用在在線和離線式噴淋清洗設(shè)備中。

2、清洗負(fù)載能力高，可過(guò)濾性好，具有超長(zhǎng)的使用壽命，維護(hù)成本低。

3、適用于具有高精、高密、高潔凈清洗要求的精密電子零件的清洗，特別適用于針對(duì)細(xì)間距和低底部間隙元器件的清洗應(yīng)用。

4、濃縮型產(chǎn)品應(yīng)用更寬廣，選擇不同的稀釋比例靈活清洗不同殘留。

5、對(duì)市場(chǎng)上大多數(shù)種類型的助焊劑和錫膏焊后殘留均具有良好的清洗效果。

晶圓級(jí)封裝清洗劑W3800的適用工藝：

W3800水基清洗劑適應(yīng)于超聲、噴淋等多種清洗工藝。

晶圓級(jí)封裝清洗劑W3800產(chǎn)品應(yīng)用：

W3800在材料兼容性方面表現(xiàn)優(yōu)越，主要用于清除電子組裝件PCBA、功率LED器件及引線框架型分立器件上的錫膏或者助焊劑殘留物。特別適用于助焊劑殘留較多且頑固的PCBA清洗，清洗時(shí)可根據(jù)PCBA殘留物的狀態(tài)，將本品按一定比例稀釋后再進(jìn)行使用，一般稀釋比例應(yīng)控制在 1:3～1:5。

具體應(yīng)用效果如下列表中所列：