芯片可靠性測試包括哪些項(xiàng)目與芯片封裝清洗劑介紹

什么是芯片可靠性測試？

芯片可靠性測試是針對(duì)芯片進(jìn)行的一系列嚴(yán)格的測試，目的是驗(yàn)證這些芯片在各種操作條件下的性能、穩(wěn)定性和壽命。

芯片可靠性測試包括哪些項(xiàng)目：

1、Precon，預(yù)處理，簡寫為PC，也有叫MSL濕度敏感試驗(yàn)的，目的：評(píng)估芯片在吸收濕氣后，在表面貼裝技術(shù)的回流焊接過程中是否會(huì)出現(xiàn)脫層、裂痕或爆米花效應(yīng)等。

2、THB，溫濕度偏壓壽命試驗(yàn)：在高溫高濕環(huán)境下對(duì)芯片施加電壓，測試其長時(shí)間運(yùn)行的可靠性和穩(wěn)定性。

3、H3TRB，高溫高濕反偏試驗(yàn)：與THB類似，但是在高溫高濕環(huán)境中對(duì)芯片施加反向電壓。

4、BHAST高加速壽命試驗(yàn), 也叫HAST：加速評(píng)估產(chǎn)品在高濕高溫環(huán)境中的可靠性，比標(biāo)準(zhǔn)測試更快得到結(jié)果。

5、UHAST：與傳統(tǒng)的HAST相比，UHAST不施加電壓。

6、TCT:高低溫循環(huán)試驗(yàn)：芯片反復(fù)在高溫與低溫之間循環(huán)，檢查因溫差引起的物理或功能性損壞。

7、PTC功率溫度循環(huán)：模擬在功率變化下芯片受到的熱循環(huán)影響，評(píng)估其在功率和溫度雙重影響下的可靠性。

8、PCT，高壓蒸煮試驗(yàn) ：芯片置于高壓蒸汽環(huán)境中一定時(shí)間，測試其對(duì)潮濕和熱應(yīng)力的耐受性

9、TST，高低溫沖擊試驗(yàn)：芯片在極短時(shí)間內(nèi)從一溫度極端迅速轉(zhuǎn)移到另一溫度極端，反復(fù)多次，以測試其熱沖擊耐受性。

10、HTST/HTS，高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)：將樣品置于控制的高溫環(huán)境中一定時(shí)期，然后進(jìn)行電氣和物理性能測試，檢查性能退化或物理變化。

11、可焊性試驗(yàn)：確定組件的引腳或焊盤是否能夠被焊錫良好濕潤，保證在焊接過程中能形成良好的焊點(diǎn)。

12、焊線推拉力試驗(yàn)：使用專用設(shè)備對(duì)焊線進(jìn)行拉力或剪切力測試，測量斷裂前的最大力量。

13、錫球推力試驗(yàn)：對(duì)錫球施加水平剪切力，記錄剪切前的最大力量。

14、錫球熱拔試驗(yàn)：評(píng)估錫球在高溫下的拉伸強(qiáng)度。

15、錫球冷拔試驗(yàn)：評(píng)估錫球在室溫下的拉伸強(qiáng)度。

芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。